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工業技術研究院

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晶圓級記憶體堆疊應用服務

晶圓級記憶體堆疊應用...(詳如圖說)
晶圓級記憶體堆疊應用服務。

技術簡介

為增加臺灣記憶體產業的國際競爭力,協助國內記憶體產業發展所需的高容量、高性能、低功耗、低延遲、小尺寸之記憶體封裝技術需求,工研院研發「矽穿孔中介層整合技術」,用於動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory;DRAM)兩層堆疊架構,建立 Oxide-to-Oxide晶圓級接合技術。

應用與效益

以DRAM real wafer 驗證,堆疊製程前後良率幾近相同,並通過 Open short、Leakage、Function test,完成 Top wafer 厚度減薄至 20µm 之整合測試,成功驗證其製程可行性。