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工業技術研究院

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雷射銀包銅電極技術

技術簡介

雷射銀包銅電極技術...(詳如圖說)
雷射銀包銅電極技術。

太陽光電產業面臨銀漿原料供應短缺、高成本及高碳排放等挑戰,市場對於替代方案的需求日益殷切。工研院開發「雷射銀包銅電極技術」,以銀包銅取代純銀作為電極材料,可有效降低近 50% 的銀耗量與碳足跡,亦可緩解銀原料供應壓力與成本負擔。

特色與創新

此技術導入新型玻璃質於銀包銅導電漿料中,提升導電性能與穩定性,並結合雷射開孔及增強接觸製程,大幅降低接觸阻抗,使電池效率更佳。

應用與效益

此外,該技術製程燒結溫度從傳統的 800°C 降低至 400°C,大幅減少能源消耗,進一步提升綠色製造效益,已成功應用於穿隧氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽電池,提升光電轉換效率至 4.80%(增幅 0.51%),同時降低 8% 的電池成本。目前已與國內材料商、太陽電池商共同驗證,助力太陽能產業邁向更永續低碳的發展。

雷射銀包銅電極技術...(詳如圖說)
雷射銀包銅電極技術。



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