壹、說明
工研院南分院受經濟部委託，執行「基於次微米平台之溫場應力調變超薄化雷射加工技術（1／1）」等科技專案計畫。本年度各項技術開發擬尋求具有相關資格之產學研機構執行分包研究計畫。為使國內產學研機構亦有機會參與，以有效運用人力資源，使成果更能符合計畫實際需求，故公開徵求符合資格之機構向本單位提出相關研究計畫。
本委託案乃本單位接受經濟部委託之115年度各計畫項下之產學研合作計畫擬委託研究計畫，計畫委託案之執行與否及計畫執行經費，將俟本院與經濟部簽約後才能確認計畫執行相關事宜，亦可能調整計畫執行期間及計畫執行經費，特此聲明。
貳、 申請條件
一、具備所需之技術能力，並擁有足以承接分包案之研究人力與設備者。
二、依據政府採購法利益迴避原則，特提醒計畫申請人應避免再擔任本單位相關科專計畫之評審委員。
參、申請方式
請各產學研機構對所述研究項目有興趣者，於115年8月14日(五) 前，將「FY115分包研究計畫申請書」一式五份郵寄至734台南市六甲區工研路8號北研館408室，工研院南分院營運企劃部 薛名淳小姐收。（郵戳為憑，電話：+886-6-6939083、E-mail:mingchun@itri.org.tw）。提出計畫申請書前，請務必詳閱「陸、智慧財產權歸屬」條款。
肆、評審
計畫書之評審將由南分院邀請院內外專家組成審查委員會共同審查，並於115年9月前將評審結果通知申請人。
伍、經費編列
經費編列原則如下：
一、不可含資本支出（即購置設備），但可含機儀器設備使用費及租用費。
二、材料費及其他費用按研究計畫實際需要編列，並提出適當說明。
三、請勿編列國外差旅費用。
四、請勿編列軟體費用。
五、請勿設共／協同主持人。
六、研究人員之人事費參照「國家科學及技術委員會補助專題研究計畫研究人力約用注意事項」為編列基準。人事費之編列，以總額不得超過總經費的45%為上限。
七、計畫主持人同一年度以主持工研院南分院一件分包研究計畫為原則。
八、管理費之編列標準，以總經費15%為上限。
九、人事費、管理費不可流出流入，其他費用請依據執行經濟部科專計畫之出二入二原則流用。
陸、智慧財產權歸屬
有關智慧財產權之歸屬說明如下：
本次分包研究計畫成果所可能獲得之專利權、著作權、電路布局權及其他智慧財產權皆歸財團法人工業技術研究院所有，產學研機構不得將其向任何機關申請專利權、著作權、電路布局權或其他智慧財產權之註冊登記。財團法人工業技術研究院若須將本研究成果向任何有關機關申請專利權、著作權、電路布局權或其他智慧財產權之註冊登記時，產學研機構應提供一切必要之協助。
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115年度科技專案分包研究計畫一覽表
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執行期間：起期將依審查委員會審查通過日（約115／8） ~ 116／4／30
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JB1
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l 計畫名稱：SiC元件於晶背薄化後之性能驗證
l 研究項目：SiC元件於6吋晶圓經BGBM製程後的性能驗證。
l 研究內容說明：本計畫預計委託大專院校或學術研究團隊進行6吋SiC元件設計，並安排下線製作，經本計畫開發之雷射加工技術對晶背進行薄化後，再由大專院校或學術研究團隊進行Chip Probing量測，驗證確認經薄化後之元件性能。為確保 SiC 二極體於晶背薄化後之可靠度，本計畫預計委託學術單位進行以下性能驗證項目及指標：
A.崩潰電壓(Breakdown Voltage, BV)驗證
A1.驗證內容:於薄化前後量測元件之崩潰電壓，確認背薄化是否造成垂直電場分佈變化。
A2.驗證指標:崩潰電壓元件設計規格為650V，未薄化前崩潰電壓需≥ 650 V，並比較薄化前後之變異。
B.正向導通特性(Forward I–V)與電流能力
B1.驗證內容:測試在額定電流(10 A)下之正向壓降VF變化，以確認薄化後導通能力是否受機械應力變化影響。
B2.驗證指標:在10A下VF上升量≤ 5%，並比較薄化前後之變異。
C.總電容電荷(Total Capacitive Charge, QC) / C–V特性
C1. 驗證內容:測量QC（規格40 BV）與C–V 曲線，確認薄化後漂移層厚度與電場分佈是否如設計。
C2.驗證指標:QC變動≦±10%； C–V曲線斜率與轉折電壓變異≦10%，並比較薄化前後之變異。
l 預估經費K(含稅)：1000
l 預期成果：可協助國內半導體高功率元件後段BGBM業者導入先進的雷射薄化設備，使其具備砂輪耗材更少、更為薄化且滿足ESG要求，可提升SiC材料利用率的產業競爭優勢，進而鞏固國際IDM客戶訂單。
l 受委託對象須具備之條件：大專院校或學術研究單位。
l 計畫連絡人：許益嘉+886-6-6939064
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