技術簡介
高深寬比TGV玻璃基板填銅技術
因應高頻通訊、高效能運算（HPC）及光電應用市場對更高頻寬、低損耗材料的需求，玻璃基板已成為新興 IC 載板的熱門選項。但玻璃本身缺乏導電性，須透過玻璃通孔技術（Through Glass Via；TGV）在玻璃基板上形成垂直互連，確保訊號傳輸的穩定與效率。隨著先進半導體封裝對高性能、高良率玻璃基板的需求大增，推動 IC 載板技術發展以因應數據中心與高運算應用需求。目前 TGV 玻璃基板填銅技術仍面臨填孔均勻性、良率與電鍍效率的挑戰，影響封裝效能與成本控制。
特色與創新
工研院開發 8 吋「 高 深 寬 比 TGV 玻璃基板填銅技術」，孔徑 30μm、厚度 300μm、AR10，透過 AI-CSR 演算法優化電鍍參數，電鍍架橋時間從一小時縮短至 40 分鐘，填銅良率提升至 97.9%，大幅提高製程效率與產品穩定度，滿足高階封裝市場需求。
應用與效益
工研院進一步整合國內大廠資源，推動全濕式製程、材料與設備的自主研發，降低成本 50% 以上，提供完整 TGV 封裝解決方案；同時，攜手國內技術聯盟，積極與國際企業洽談合作，提升技術與國際競爭力。