技術簡介
奈米粒子不純物檢測， 最小可偵測到200 nm 之粒子，降低製程風險。
先進半導體製程中，化學品、原物料與晶圓表面的奈米粒子不純物是影響產品良率與可靠度的重要變數。然而，現行檢測技術受限於偵測極限，難以精準追蹤微量汙染源，成為品質控管的重大挑戰。工研院針對「奈米粒子不純物檢測」，開發基質前處理模組並整合電移動度分析技術。
特色與創新
可精準量測硫酸中20 nm至100 nm之極細微不純物。針對矽、碳化矽與玻璃等晶圓與載板檢測，開發粒子檢測光學模組，最小可偵測到200 nm之粒子，並於四分鐘內完成八吋晶圓全片掃描，提升量測效率。此外，為確保量測結果具可追溯性，工研院也建立15 nm、30 nm氧化鐵奈米粒子參考物質，以及20 nm至300 nm晶圓表面顆粒尺寸標準片。
應用與效益
支援先進製程汙染控管、材料品質驗證與設備監控，降低製程風險，強化臺灣半導體競爭優勢。