技術簡介
工研院建置穿透光學檢測設備，可快速重建晶圓內部結構並進行線上缺陷辨識，協助提升化合物半導體製程穩定性與量產可靠性。
5G、低軌衛星與Wi-Fi 7應用爆發，功率放大器（PA）需求亦大幅增長，為滿足PA的高頻、高功率與微縮需求，PA採用化合物半導體，並導入立體內凹導電結構。此結構位於晶圓內部，易因曝光能量變異，產生倒塌崩壞、相黏短路等缺陷。現行掃描式電子顯微鏡（SEM）檢測具破壞性、僅能離線抽檢，一般光學檢測也受遮蔽與反射干擾，成像模糊，無法滿足線上、高精度檢測需求。為此，工研院開發「穿透光學檢測技術」。
特色與創新
結合動態融合取像、深層分析與AI誤差修正模型，提供非接觸、線上即時的檢測方式，可於15秒內重建晶圓內部影像，量測精度達0.3微米，有效克服傳統光學遮蔽，協助設備業者及早發現缺陷，提升PA製程穩定度與量產可靠性，強化國產半導體設備的競爭力，達成技術自主。