無光罩適應形圖案化技術可依晶片實際位置自動調整RDL線路，補償晶片間位移並維持電性連接。
因應未來智慧場域裝置多樣及高階封裝應用需求，工研院開發無光罩高解析適應形圖案化補償技術，驗證應用於晶片優先（Chip First）封裝結構之重佈線層（Re-distribution Layer；RDL）的適應形圖案化補償，達到水平位移（XY）50μm與角度位移（θ）0.3o的補償能力，未來可應用於高階面板級封裝或次世代顯示器。
應用與效益
在半導體封裝製程上，晶片跟晶片間的「溝通」，需要光罩曝光技術來連接，一旦晶片位置偏移就會「失聯」。因應未來智慧場域裝置多樣及高階封裝應用需求，以多晶片線路位移自動化補償技術，有效解決傳統光罩製程無法因應晶片位置偏移進行修正，而造成的失聯問題。
工研院無光罩曝光技術具2 μm解析度，並可補償XY 50 μm與角度0.3°的晶片位移，提升高階封裝製程適應性。
技術導入後可依晶片偏移狀況即時修正RDL線路，避免原有固定曝光圖案造成斷線，提升封裝互連可靠性。