技術簡介
工研院透過3D IC導通孔技術整合異質晶片，實現高密度三維封裝，提升系統效能並降低功耗與封裝體積。
3DIC 技術利用導通孔技術，在玻璃或是矽晶圓上透過垂直路徑導通上下晶片，藉由此技術能夠進行異質晶片之整合封裝，增加晶片堆疊密度、縮小封裝體積、加大頻寬、降低功耗與增進產品效能。
特色與創新
目前已將不同方案整合在不同晶片上，如應用晶背 via last 矽導通孔製程整合技術（導通孔大小5μm，深度50μm）於記憶體與邏輯晶片的堆疊架構上，提升 60％ 以上的系統效能，減少 70％ 以上的功率消耗，而 via middle 矽導通孔技術則成功與記憶體廠商完成四層記憶體堆疊晶片。在影像感測器應用方面，整合了 BSI CIS+ADC+ISP 三層晶片堆疊，大幅縮小封裝尺寸及提升效能。
應用與效益
藉由 3DIC 技術之應用能夠進一步縮減晶片面積、提升系統效能、減少功率消耗，目前已成功完成 3μm、深度 30μm 的矽導通孔製程整合技術的開發，應用於影像感測器、記憶體堆疊、μLED…等領域。
高深寬比矽導通孔可建立晶片間垂直電性連接，支援高密度三維晶片堆疊與先進封裝整合。
玻璃導通孔結合雙面線路中介層，可提供高密度電性互連，支援異質晶片整合與先進封裝應用。