工業技術研究院

技術簡介

傳統碳化矽製程需加工始能進行缺陷檢測，導致材料與時間浪費。為解決此痛點，本技術導入X-ray非破壞性層像檢測，具備免切磨拋即可透視 6 吋商規晶錠內部微管之能力。透過優化掃描策略與高精度辨識演算法，本技術在顯著提升檢測效率的同時，亦確保缺陷判讀誤判率低於 10％，為產業提供具備量產效益的解決方案。

Abstract

Conventional SiC manufacturing processes require destructive processing prior to defect inspection, resulting in significant material and time wastage. To address this critical bottleneck, this technology introduces X-ray non-destructive computed tomography (CT), capable of visualizing micropipes within 6-inch commercial-grade ingots without the need for cutting, grinding, or polishing. By leveraging optimized scanning strategies and high-precision recognition algorithms, this technology significantly enhances inspection efficiency while maintaining a false recognition rate of less than 10％, thereby providing the industry with a commercially viable solution for mass production.

技術規格

1. SiC晶錠直徑 ≧ 6吋 2. 檢測時間 ＜ 1小時 3. 缺陷辨識誤判率 ＜ 10％

Technical Specification

1. The diameter of SiC ingot: ≧ 6 inch 2. Inspection time: ＜ 1 hour 3. The false positive rate of defect identification ＜ 10％

技術特色

1. 智慧濾除影像雜訊，高噪訊下仍能精準進行缺陷判讀。 2. 自動化AI判讀流程，取代人工目檢不確定性。 3. 整合平行運算架構，達成高檢測效率。

應用範圍

半導體材料、陶瓷材料及封裝等領域。

接受技術者具備基礎建議（設備）

1. 符合政府關於游離輻射使用的規定，如鉛室或X-ray使用執照。 2. 高運算能力工作站。

接受技術者具備基礎建議（專業）

對於SiC材料和X-ray間的交互作用，及SiC晶錠內部具有的缺陷型態需有基礎知識理解。

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