工業技術研究院

技術簡介

本技術可在孔徑15 µm至100 µm的TGV基板中達成附著力＞5 N/cm的高附著力濕式表面金屬化製程，並完成深寬比AR≧20的無缺空洞填孔電鍍製程。

Abstract

This technology achieves a high-adhesion wet metallization process on TGV substrates (apertures of 15–100 µm), delivering an adhesion strength＞5 N/cm. Furthermore, it enables a void-free copper filling process for vias with an aspect ratio (AR) exceeding 20.

技術規格

(a)孔徑：15~100 μm；(b)深寬比 AR≧20；(c) 基板最大尺寸: 510x515 mm；(d)真圓度＞95％；(e)玻璃載體厚度: 300-1000 μm

Technical Specification

(a)TGV diameter：15~100 μm；(b) AR (aspect ratio) ≧20；(c) Maximum substrate size : 510x515 mm；(d)roundness＞95％；(e)glass thickness: 300-1000 μm

技術特色

技術簡介 本技術可在孔徑15 µm至100 µm的TGV基板中達成附著力＞5 N/cm的高附著力濕式表面金屬化製程，並完成深寬比AR≧20的無缺空洞填孔電鍍製程。 Abstract This technology achieves a high-adhesion wet metallization process on TGV substrates (apertures of 15–100 µm), delivering an adhesion strength＞5 N/cm. Furthermore, it enables a void-free copper filling process for vias with an aspect ratio (AR) exceeding 20. 技術規格 (a)孔徑：15~100 μm；(b)深寬比 AR≧20；(c) 基板最大尺寸: 510x515 mm；(d)真圓度＞95％；(e)玻璃載體厚度: 300-1000 μm Technical Specification (a)TGV diameter：15~100 μm；(b) AR (aspect ratio) ≧20；(c) Maximum substrate size : 510x515 mm；(d)roundness＞95％；(e)glass thickness: 300-1000 μm 技術特色 TGV基板先進關鍵封裝製程，以全新濕式高附著力表面金屬化技術 ＋ 高深寬比填孔電鍍技術，可於TGV玻璃基板厚度：300-1000 μm的條件下，完成孔徑15~100 μm TGV在深寬比≧20 TGV金屬化＋填孔電鍍製程。

應用範圍

半導體中介板與載板、5G高頻應用、µ-LED

接受技術者具備基礎建議（設備）

玻璃清洗槽與清洗溶液 高精度電源供應器 CVS電化學分析儀 電鍍設備模組 電鍍治具 高附著力薄膜塗佈設備模組 高附著力薄膜材料 填孔電鍍配方

接受技術者具備基礎建議（專業）

材料、化工、化學

聯絡資訊