工業技術研究院

技術簡介

一種散熱組件用以熱接觸於一熱源並包含一第一腔體、至少三連通腔體、至少二第一散熱鰭片組以及一第二腔體。第一腔體具有一熱接觸面及一第一腔室，熱接觸面用以熱接觸於熱源。至少三連通腔體各自具有連通於第一腔室的至少一連通流道。至少二第一散熱鰭片組分別設置於連通腔體之間。第二腔體具有一第二腔室。第二腔室至少透過其中一個連通腔體的至少一連通流道連通於第一腔室。

Abstract

A heat dissipation assembly configured to be in thermal contact with a heat source and includes a first chamber, at least three connecting chambers, at least two first heat sink and a second chamber. The first chamber has a thermal contact surface and a first space and the thermal contact surface is configured to be in contact with the heat source. The at least three connecting chambers each have at least one connecting channel connected to the first space. The at least two heat sink are respectively disposed between the connecting chambers. The second chamber has a second space. The second space is connected to the first chamber at least by the at least one connecting channel of one connecting chamber.

技術規格

-支援GPU晶片最大熱傳量：1.5 kW； -Rth＜0.035°C/W -晶片表面溫度Tcase＜ 72°C (＠130CFM; Ta=30°C)

Technical Specification

Maximum AI chip heat dissipation supported: 1.5 kW Thermal resistance (Rth): ＜ 0.035 °C/W Chip case temperature (Tcase): ＜ 72 °C (＠ 130 CFM, Ta = 30 °C)

技術特色

3D全鋁製高性能散熱技術，在相同體積與環境條件下，本技術可大幅提升氣冷散熱能力至1500W，有效超越傳統3D-VC的極限。目前已完成TRL 7測試（模擬伺服器環境中驗證），即使在高發熱密度下仍能維持穩定運作。3D全鋁製高性能散熱技術已完成台灣、美國及中國大陸發明專利申請，不僅可以確保智財優勢，也獲2026年愛迪生發明獎入圍認可。

應用範圍

AI伺服器散熱，IGBT散熱、Burn-in封測溫控模組、網路交換晶片散熱。

接受技術者具備基礎建議（設備）

風洞量測設備

接受技術者具備基礎建議（專業）

電子散熱、雙相熱傳

聯絡資訊