工業技術研究院

技術簡介

本技術係應用於感應耦合電漿（ICP）系統之先進電磁場調控架構，透過內圈與外圈雙直立感應線圈之配置，分別設計其匝數與驅動條件，使兩線圈可獨立產生具有不同空間特性的感應磁通。藉由可調式支撐機構，實現電漿腔體內電磁場空間塑形，來達到高均勻電漿分布的目的，在不降低電漿密度下顯著提升電漿分布均勻性，適用於大面積高均勻度之先進蝕刻製程。

Abstract

This technology is an advanced electromagnetic field control architecture applied to inductively coupled plasma (ICP) systems. By configuring dual vertical induction coils—inner and outer coils—with independently designed turns and driving conditions, each coil can generate magnetic flux with distinct spatial characteristics. Using an adjustable support mechanism, the spatial distribution of the electromagnetic field within the plasma chamber can be precisely shaped, achieving highly uniform plasma distribution. This approach significantly enhances plasma uniformity without compromising plasma density, making it well-suited for large-area, high-uniformity advanced etching processes.

技術規格

雙直立式 ICP 感應線圈（內圈／外圈） 支援線圈電流比例與相對相位調控 適用高密度電漿（＞10¹¹ cm⁻³）蝕刻製程

Technical Specification

Dual vertical ICP induction coils (inner and outer coils) Supports control of coil current ratio and relative phase Suitable for high-density plasma etching processes (＞10¹¹ cm⁻³)

技術特色

電漿均勻性直接決定蝕刻速率、輪廓與臨界尺寸在晶圓面內的一致性，是確保高良率、高可靠度與先進製程可重複性的關鍵因素。本技術透過內外線圈設計，並結合可調式高度與相位控制機制，調整感應磁場與電漿加熱區域分布，以改善傳統 ICP 在大面積蝕刻時之中心／邊緣不均問題，提升電漿密度均勻性。

應用範圍

光電、半導體電漿製程相關設備產業

接受技術者具備基礎建議（設備）

電磁耦合模擬分析軟體、電漿分布量測模組及分析軟體

接受技術者具備基礎建議（專業）

需具備有電漿物理、電控與機械經驗之開發人員

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