技術簡介
根據製程與元件模擬設計之分離式功率電子開關，
採用橫向式閘極結構設計與製程
Abstract
By using lateral gate structure to design the discrete switch, we can achieve the Power IC for high voltage & low resistance property. This process technology can easily integrate with CMOS process.
技術規格
VBD≧700V、Rdson ≦39Ω-mm2
Technical Specification
VBD≧700V、Rdson ≦39Ω-mm2
技術特色
．與現今標準CMOS製程相容
．低Rdson
應用範圍
高功率、低阻抗之電子開關，如電子式變壓器、電漿顯示器驅動、液晶顯示器背光燈源、智慧型電池充電器、單晶式整合型智慧功率IC
接受技術者具備基礎建議（設備）
具元件開發能力之半導體廠
接受技術者具備基礎建議（專業）
CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
聯絡資訊
聯絡人：鍾佩翰 奈米電子元件技術組
電話：+886-3-5912777 或 Email：stephen.chung@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-3-5917690