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新電子元件與架構

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毫米波功率放大器
本技術透過商用GaAs、GaN製程或自主開發之GaN on Si HEMT元件,並透過DC、S-parameter及load pull量測得到mmW下最大功率輸出之阻抗點Zopt及偏壓,根據此量測結果進行最佳功率阻抗匹配之電路設計,開發未來主流應用頻帶Sub-6GHz、28/38GHz、V-Band (57-64 GHz)之高功率功率放大器。
磁性體外診斷晶片
由於未來對於健康照護的重視與普及化,對於定點照護檢測的相關醫材與系統的需求日趨增長。本技術核心在於非光學式高感度生化感測機制,感測元件模組可以與樣本前處理模組及訊號處理晶片於同一個平台上完成異質整合,形成一個高度整合的生物檢測系統,具有高靈敏度、高可靠度、偵測反應快速、簡易操作之特色。
物聯網保全
傳輸資料安全、無人智慧應用防駭是萬物聯網之關鍵議題,工研院基於非揮發性記憶體技術,成功開發其新型態應用「絕對隨機硬體金鑰系統」,藉由自主研發之非揮發性記憶體硬體金鑰產生技術,以及快速讀寫電路及元件設計,可將非揮發性記憶體特性完全發揮於物理不可複製功能(PUF)系統上,可作為各種物聯網、資料安全、金鑰加解密、亂數產生器等應用使用,解決傳輸安全性問題,提升產品競爭力。
新世代鐵電記憶體技術
超低功耗的鐵電記憶體技術(功耗為EEPROM的1/100)為物聯網最佳的選擇,新一代的氧化鉿材料可將鐵電記憶體技術帶至28nm以下的應用。
整合中介層之微線寬異質載板技術
整合中介層之微線寬異質載板技術,將薄化之細線寬距中介層,藉無凸塊互連整合於現行IC載板,形成創新IC異質整合載板架構EIC,達成下世代高階2.5D或3DIC模組薄化與可靠性提升。
三維積體電路導通孔技術
在3DIC技術上,開發所有矽導通孔相關的可行技術,透過垂直路徑導通上下晶片,增加晶片堆疊密度、縮小體積、加大頻寬、降低功耗與增進產品效能。
電阻式記憶體技術RRAM
電阻式記憶體則以金屬-氧化物-金屬專利結構有效應用在CMOS製程技術中,利用氧化鉿絕緣層搭配鈦緩衝層大幅提升記憶體特性,高良率具有量產潛力。
磁性記憶體MRAM
工研院pSTT隨機存取非揮發性磁性記憶體,讀寫次數接近無窮大、讀寫速度快、與CMOS相容度高。