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技術移轉

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技術名稱(中文):矽晶深蝕刻製程技術

技術名稱(英文):Deep Silicon Etching Technology

技術簡介

如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。

Abstract

This technology uses fluorine basedgases,etches silicon at rates of 5um/min with an etch uniformity better than +/- 10% while maintaining a Si:SiO2 selectivity of more than 150:1.Etch depths is greater than 300um and profile angles of +/- 1 degree.

技術規格

. Etching depth: 10~300um
. Etching rate: 1~3um/min

Technical Specification

Si vs SiO2 >150:1
trench size >300um
Aspect ration >20
Profile control >890

技術特色

. High aspect ratio > 20
. 非均向性蝕刻垂直度>89°

應用範圍

矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。

接受技術者具備基礎建議(設備)

參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等)
ICP or DRIE

接受技術者具備基礎建議(專業)

半導體之乾蝕刻製程為基礎。
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