5G、AI人工智慧已是驅動半導體產業成長趨勢,隨著晶片體積愈來愈小,擁有高速度、高效能的磁性記憶體(Magnetic Random Access Memory;MRAM)技術已成為主流。在經濟部技術處支持之下,工研院發展的磁性記憶體有最新突破。在美國國防高等研究計畫署(Defense Advanced Research Projects Agency;DARPA)支持下,工研院與美國加州大學洛杉磯分校(University of California, Los Angeles;UCLA)宣布簽署VC-MRAM合作開發計畫,未來將共同開發下一代的磁性記憶體,期許以工研院媲美國際的技術基礎、結合UCLA創新概念,將材料元件應用在記憶體晶片內進行運算儲存,未來可望減少近百倍能耗,提升逾十倍速度,樹立創新記憶體新里程碑。
經濟部技術處表示,經濟部長期投入資源協助國內半導體產業技術研發,同時也力促工研院投入下世代自旋霍爾式磁性記憶體(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)技術,研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體技術,並於2019年在全球指標性IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting MRAM Poster Session;IEDM Poster)中發表,其技術成果已逐步產業落地,為臺廠進入新世代記憶體鋪下康莊大道。如今,深厚的研發基礎吸引具有前瞻研發技術研發能量的頂尖學術機構UCLA與工研院合作開發電壓控制式磁性記憶體(Voltage Control Magnetic RAM;VC-MRAM)。其與SOT MRAM相比,VC-MRAM具有更快寫入速度(縮短50%)、讀寫能耗更低(減少75%)的特性,非常適合AIoT及汽車晶片的應用需求。此次合作,雙方強強聯手,進一步投入創新記憶體科技開發與產業化進程,並強化美國重要合作夥伴的關係,成功協助國內外廠商提升國際競爭力,於下世代先進製程上搶占先機。