工業技術研究院

臺灣半導體產業是驅動全球經濟發展的引擎，根據工研院產科國際所資料指出，2021年半導體總產值4.1兆元，位居全球第二，瞄準元宇宙（Metaverse）商機與科技帶動智慧生活興起，經濟部技術處攜手產業升級轉型，開創下世代智慧生活新願景，引領半導體精準量測技術落地新創，持續維持國際競爭力。今（14）日登場的SEMICON Taiwan展中，工研院在經濟部技術處支持下，展出33項囊括「創新記憶體技術」、「新世代化合物半導體」、「半導體製程精準量測」等創新技術！其中，包含全球首創可以3D Live直播互動的「即時裸視3D服務系統」，全球最快、效能媲美國際大廠的「自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片」，領航產業搶攻新世代半導體商機。

工研院電光系統所所長張世杰指出，因應元宇宙與半導體異質整合趨勢興起，產生全新的跨產業鏈商機；工研院在經濟部技術處的支持下，協助許多廠商成功將既有技術進行虛實整合與數位轉型，跨領域整合不同創新技術進行落地驗證！工研院研發全球首創即時裸視3D服務系統，影像可即時變成3D，並可與真人Live直播互動，資料量為原本平面影像的16倍，開創元宇宙感官新體驗模式。工研院量測中心副執行長陳炤彰則表示，由於半導體晶片大廠積極投資具潛力的晶片技術與應用，工研院透過成立半導體領域的NanoSeeX新創團隊，提供半導體先進製程量測設備，期待協助半導體產業有效提升技術能量，進而擴大產品應用範圍。

經濟部技術處處長邱求慧表示，今年SEMICON Taiwan展發表的技術有「兩快一準」的特色。第一是「速度最快」，製程微縮是半導體先進製程重要趨勢，工研院攜手多家國內大廠發展國內唯一MRAM陣列晶片技術平台，完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片，效能領先韓國大廠20%，加速產業躋身下世代記憶體技術領先群。第二是「充電最快」，因應電動車高續航力及快速充電需求，歐美韓車廠均開始採用碳化矽功率半導體元件（SiC MOSFET）取代傳統矽基功率半導體元件（Si IGBT），提升電能轉換效率，工研院研發的「充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組」，可實現高電壓低電流的800V快充，比400V系統減少一半的充電時間。第三是「製程量測最精準」，元件持續微縮是半導體發展的關鍵，更需要仰賴精準的量測設備才能維持高良率。工研院開發以X光為基礎，可量測奈米尺寸的三維複雜結構，協助業者進行2奈米的精微挑戰，量測時間縮短60%，協助業界搶佔數十億美元半導體量測設備商機。未來經濟部技術處會持續攜手產業，開創下世代半導體各領域新應用，搶進國際產業鏈。

致茂電子總經理曾一士表示，在技術處的支持下，才能與工研院持續深耕技術、厚植研發實力，半導體2奈米GAA的X光量測技術對半導體產業很重要，未來致茂擬投資近九千萬金額，持續與新創團隊共同努力。

2022 SEMICON Taiwan自9月14至16日在臺北世貿南港展覽館一館四樓N0662攤位，經濟部「科技專案成果主題館」展出33項成果。9月16日也將舉辦「開啟元宇宙任意門：半導體X光電顯示，科技匯流解密」技術論壇，特別邀請到數位時代創新長黃亮崢擔任主持人，與工研院電光系統所所長張世杰、神盾科技技術長林功藝及陽明交通大學副校長李鎮宜，以「借力使力、打造跨域創新力」主題探討科技跨域創新及整合新思維，還有半導體晶片設計與製造、電光及顯示四大領域技術專家，分享最熱門的技術及成功案例。

9月16日亦舉辦「半導體先進檢測與計量國際論壇」，邀請致茂集團／兆晟奈米科技、工研院、Fractilia、Oxford Instruments、摩根士丹利等國內外企業專家，強化橫向連結不同產業的技術交流，剖析檢測與計量未來創新解決方案與挑戰，如半導體光度計量標準的測量、先進封裝計量和檢測挑戰、光譜干涉技術以及VTS技術等。詳細報名連結請見：https://reurl.cc/aGeYjY。

工研院為下世代產業發展提出2030智慧化致能技術，在5G、大數據、AI人工智慧與物聯網科技的輔助下，讓各式創新應用發展有無限可能，攜手產業共同推動產業升級，藉由跨域合作加速產業落地與創新應用，搶攻智慧製造新商機。

科技專案成果主題館亮點技術如下：

1. 新興磁性記憶體技術平台 效能超韓趕美 布局車用市場潛力無窮
該平台致力打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系，已開發第三代SOT-MRAM技術，首獲美國國防部出資合作開發下一代磁性記憶體技術，未來可以整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有非常棒的前景與市場應用潛力。

2. 充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組 快速充電帶動電動車產業新機
該模組以最佳化設計與新封裝製程導入，投入快速充電應用1700V碳化矽功率模組開發，使熱阻值較國際大廠產品改善達20%以上，簡化系統散熱設計，降低製造成本，帶動國內電動車產業鏈的新機會。

3. 氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體 布局下世代B5G／6G應用
此電晶體具有高頻率、低功耗、高功率的特點，特別適用於射頻（RF）領域，如5G射頻設備、軍用雷達、光達Lidar等。工研院在技術處支持下建置8吋大面積氮化鎵射頻元件技術及平台，未來將以大尺寸晶圓超高頻元件製程，聯合國內外半導體產業的發展策略，來幫助國內現有上下游廠商掌握超高頻技術，搶先布局下世代B5G／6G之龐大應用市場。

4. 半導體2奈米GAA製程前段X光量測技術 新創產業落地
透過X光量測技術率先布局先進製程量測設備，以X光為基礎，穿透多層環繞閘極（Gate-all-around；GAA）結構，以原子級解析度監控關鍵尺寸，滿足量測前段製程奈米尺寸三維複雜結構需求，量測時間大幅縮短60%，以確保2奈米製程前段晶片的良率和性能，成為臺灣半導體產業堅實後盾。

5. 即時裸視3D服務系統 全球首創即時互動布新局
此系統為全球首例可直播、即時合成的裸視3D顯示技術，無須穿戴任何穿戴式裝置即可看見3D影像，且在各種型態的顯示器皆可呈現，目前已經跟許多業者合作，未來將與智慧移動、展演場合合作展現。