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工業技術研究院

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掃描式電子顯微鏡檢測分析設備

服務說明

 JEOL JSM-6500F
JEOL JSM-6500F

場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)JEOL JSM-6500F

設備功能

多功能場發射掃描式電子顯微鏡附加:

  • 能量分散X光譜儀( SDD EDS , Oxford X-Max 80 mm )。
  • 陰極發光分析儀( CL, Gatan monoCL3)。
  • 電子背向散射繞射儀(EBSD, Oxford INCA Crystal 300)。
  • Wet cell樣品載台。

設備應用

  • EDS用於成份分析,包括定性、半定量、特定區 域化學元素之mapping及line scan等。
  • CL用於發光光譜量測、影像分析、微量雜質、缺陷分析。
  • EBSD用於多晶材料之晶體結構、取向、微區織構、晶粒、晶界性質分析等。
  • For 濕式樣品觀察。

 

 

 

 LEO 1530
LEO 1530

場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)LEO 1530

設備服務

  • Topography analysis:The surface features of an object or "how it looks", its texture; detectable features limited to a few manometers。
  • Morphology analysis:The shape, size and arrangement of the particles making up the object that are lying on the surface of the sample or have been exposed by grinding or chemical etching; detectable features limited to a few manometers 。
  • Composition analysis:The elements and compounds the sample is composed of and their relative ratios, in areas ~ 1 micrometer in diameter 。

設備功能

  • 能量分散X光譜儀( SDD EDS , Bruker Quantax™ 10mm)。

設備規格

  • Field emission (schottky type)電子槍。
  • 解析度5.0nm(1kV),1.5nm(15~20kV)。
  • 操作電壓0.5~30kV、Probe current:Max. >5 nA。
  • Detectors: QBSD, SE2, InLens。
  • Measurement function:X, Y 方向距離、任兩點距離、夾角,均可同時多組量測。
  • 輸出裝置: USB。

設備應用

  • EDS system (Bruker Quantax 400)。

 

 FEI Nova 200
FEI Nova 200

雙粒子束聚焦式離子束顯微鏡 (DB-FIB)FEI Nova200

設備功能

  • 定點切割、選擇性的材料蒸鍍、強化性蝕刻或選擇性蝕刻、蝕刻終點偵測、奈米尺度操控奈米尺度之高解析影像觀測、低溫觀測能力。

設備應用

  • Field emission (schottky type)電子槍、解析度5.0nm(1kV),1.0nm(15~20kV)、操作電壓0.5~30kV、Probe current: Max. >5 nA 、Measurement   function: X, Y 方向距離、任兩點距離、夾角,均可同時多組量測。

 

 

 

 

 

 

 

 

 JEOL JEM-2100F
JEOL JEM-2100F

場發射穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)型號:JEOL JEM-2100F

場發射穿透式電子顯微鏡,對同時分析材 料影像、微結構、成份、鍵結等訊息,主要功能有高解析影像 (High Resolution Lattice Image)、掃瞄穿透式影像 (STEM image)與高角度環狀暗場像(HAADF)、EDS成份分析與Mapping、EELS電子能量損失光譜與Mapping等。

設備功能

  • 主要功能有高解析影像、掃瞄穿透式影像與高角度環狀暗場像(HAADF)、EDS成份分析與Mapping、EELS電子能量損失光譜與Mapping、三維結構分析。

設備規格

  • electron gun:ZrO/W (100), Schottky type (field emission)。
  • accelerating voltage:max.200 KV。
  • magnification :50 X~1,500,000 X。
  • title angle:±25 degree。
  • Probe Size:
    • TEM Mode: 2 ~ 5 nm (diameter)。
    • EDS Mode: 0.5 ~ 2.4 nm (diameter)。
    • NBD Mode: 0.5 ~ 2.4 nm (diameter)。
    • CBD Mode: 0.5 ~ 2.4 nm (diameter)。

設備應用

  • 檢測應用包含一般半導體、金屬、陶瓷、高分子材料均可,可分析影像、微結構、成份、鍵結等訊息。
 JEOL JEM-2100
JEOL JEM-2100

低溫三維立體穿透式電子顯微鏡(3D Cryo-TEM )型號:JEOL JEM-2100

場發射穿透式電子顯微鏡,對同時分析材料影像、微結構、成份、鍵結等訊息,主要功能有高解析影像 (High Resolution Lattice Image)、掃瞄穿透式影像 (STEM image)與高角度環狀暗場像(HAADF)、EDS成份分析與Mapping、低溫電鏡三維結構分析。

設備功能

  • 奈米尺度之微結構分析。
  • 奈米區域之微結構晶體方向之特性分析。
  • 定量元素分析。
  • 材料元素一維(line-scan)與二維分佈(2D mapping)分析。
  • 低溫微結構觀察。
  • 三維微結構觀察。

設備規格

  • electron gun:熱游離式(LaB6單晶)。
  • accelerating voltage:max.200 KV。
  • magnification:50 X~1,200,000 X。
  • title angle:X≧±40°,Y≧±30°(特殊載台:X,Y>±80°)。
  • Probe Size:
    • TEM Mode: 20~200nm (diameter)。
    • EDS Mode: 1.5~35nm (diameter)。
    • NBD Mode: 1.5~35nm (diameter)。
    • CBD Mode: 1.5~35nm (diameter)。

設備應用

  • 各類型材料微結構與組成分析、全程液氮低溫微結構觀測、Cryo-TEM三維微結構觀測。

 

 

 JEOL ARM-200F
JEOL ARM-200F

球差校正低場高校穿透式電子顯微鏡(Cs corrector FE-TEM)型號:JEOL ARM-200F

設備功能

  • 建立in-Situ、低電壓球差校正、超高空間解析顯像技術,提供前瞻材料研發所需之動態診斷檢測、複雜材料系統原子/奈米界面結構鑑定與快速元素之解析能力。

設備應用

  • 檢測應用包含一般半導體、金屬、陶瓷、高分子材料均可,可分析影像、微結構、成份、鍵結等訊息。
  • 臨場(變溫、變電壓)微結構觀測。
  • 三維微結構觀測。
  • 次原子尺度原子結構影像解析。
  • 高能量解析分子鍵結分析。


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