技術簡介
下世代半導體檢測技術。
先進半導體製程已達7奈米以下，製程薄膜厚度及關鍵尺寸越來越小，現有檢測技術面臨偵測極限。
特色與創新
工研院開發X光計量技術，藉由X光次奈米級解析能力，發展長波長X 光反射技術，量測微區（~50 μm x 50 μm）超薄次奈米膜厚度，最小膜厚可至1 nm；同時發展穿透式小角度X 光散射技術及訊號增強模組，用以線上量測7奈米、5奈米、3奈米製程之關鍵尺寸。
應用與效益
製程中的關鍵缺陷粒子尺寸已至20 nm 以下，且數量濃度低於103 顆／mL，然而目前溶液中奈米微粒量測技術存在能力斷層。工研院研發樣品導入系統及訊號增強模組，搭配溶液中微量金屬粒子量測分析技術－單粒子電感耦合電漿體質譜法（spICP-MS），成功突破量測技術斷層，並將國際之spICP-MS 尺寸偵測極限下推至4nm，數量濃度偵測極限下推至40 顆／mL，可滿足下世代半導體檢測需求。