技術簡介
發展氮化鎵基（GaN-based）的高載子遷移率電晶體（HEMT）結構磊晶與場效電晶體（FET）元件之核心技術，提供
- 射頻功率放大器（RF Power Amplifier）及功率開關器（Power Switch）在新型基板材料的磊晶驗證
- 增強型及空乏型磊晶片之安培級FET元件及耐壓特性的製程驗證
特色與創新
GaN-based HEMT結構的磊晶技術，包含
- 新型基板與緩衝層的開發
- 磊晶層的應力與翹曲管理
- 常關型（Normally-Off）超薄的閘極磊晶設計
GaN-based HEMT FET元件的製程技術，包含
- GaN／AlGaN高選擇性蝕刻
- 低接觸電阻的金屬結構設計
- 磊晶片耐壓測試
- 安培級元件驗證
應用與效益
產業面上，氮化鎵元件適用於高頻、高功率、抗輻射及高溫環境，如5G基地台放大器、軍用雷達、充電電池與車用能源管理系統。
我們可提供從基板、磊晶到模組設計的整合服務，為客戶量身打造高度客製化的一條龍解決方案，不僅滿足市場需求，更強化台灣在轉能系統與5G產業的創新能力與技術自主性。