技術簡介
具備低損耗、高崩潰電壓特性之 8" GaN HEMT on Si磊晶片。
以化合物半導體材料為核心，同步佈局高頻高功率電子與先進光電技術。在電子元件方面，建立GaN-based HEMT關鍵磊晶與FET製程，成功驗證射頻功率放大器及功率開關器於新型基板之應用，並具備增強型與空乏型元件之高電流耐壓特性；光電領域則整合VCSEL中GaN-based超高反射率 N-DBR 之磊晶設計與共振腔光學模擬，並突破In（Ga）As／GaAs多密度量子點（Quantum Dot）之成長控制技術，實現跨領域材料應用開發。
特色與創新
核心指標一：GaN HEMT 磊晶與製程技術
- 關鍵能力：Ga HEMT具備常關型（Normally-Off）結構設計、應力與翹曲管理，以及新型基板 開發能力
- 製程亮點：掌握高選擇性蝕刻與低接觸電阻技術，實現高效能功率／RF 元件開發
核心指標二：前瞻光電光源開發技術
- 關鍵產品：聚焦藍／綠光 VCSEL 與紅外光量子點（QD）雷射
- 技術範疇：涵蓋從磊晶結構設計、共振腔模擬到光源元件的製程實現
應用與效益
本技術平台提供從基板與磊晶結構設計、元件製程驗證，到初步模組層級評估之研發支援，協助產業夥伴縮短開發時程、降低技術導入風險，並強化國內在高頻功率元件與化合物半導體光電技術領域之自主研發能力，支撐次世代通訊與高效率能源系統之產業發展。