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工業技術研究院

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鐵電隨機存取記憶體(FRAM)

技術簡介

隨著攜帶式電子產品的普及化,低功耗記憶體元件漸漸受到重視,隨機存取記憶體技術中,鐵電記憶體的寫入能量是最有優勢(<2 mJoule), 不同於電阻式/相變化式/磁性元件都是讀取電阻類元件,鐵電元件是電容式元件,先天上擁有低漏電流的特性。

特色與創新

新鐵電材料氧化鉿(HfO2)自2011年後,成為趨勢主軸:

1.鐵電元件(FE-MIM)跟主流CMOS技術的結合即為鐵電隨機存取記憶體FRAM。

2.低電壓平面鐵電記憶體技術 (2D-FRAM)。

3.高密度三維記憶體技術 (3D-FRAM)。

應用與效益

工研院電光所的試量產技術平台:非揮發鐵電記憶體晶片

1.平台特點 : FRAM 於 0.13~0.18µm CMOS技術節點。

2.電壓晶片: 2D-FRAM技術(VDD ≤ 2.8V,VFE ≤ 2.0V)。

3.高密度晶片: 3D-FRAM技術(VDD=3.3V,4Mb in 14 mm2)。

鐵電隨機存取記憶體
鐵電隨機存取記憶體。
鐵
鐵電隨機存取記憶體。
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