技術簡介
隨著攜帶式電子產品的普及化，低功耗記憶體元件漸漸受到重視，隨機存取記憶體技術中，鐵電記憶體的寫入能量是最有優勢（<2 mJoule）， 不同於電阻式／相變化式／磁性元件都是讀取電阻類元件，鐵電元件是電容式元件，先天上擁有低漏電流的特性。
特色與創新
新鐵電材料氧化鉿（HfO2）自2011年後，成為趨勢主軸：
1.鐵電元件（FE-MIM）跟主流CMOS技術的結合即為鐵電隨機存取記憶體FRAM。
2.低電壓平面鐵電記憶體技術 （2D-FRAM）。
3.高密度三維記憶體技術 （3D-FRAM）。
應用與效益
工研院電光所的試量產技術平台：非揮發鐵電記憶體晶片
1.平台特點 ： FRAM 於 0.13～0.18µm CMOS技術節點。
2.低電壓晶片： 2D-FRAM技術（VDD ≤ 2.8V，VFE ≤ 2.0V）。
3.高密度晶片： 3D-FRAM技術（VDD=3.3V，4Mb in 14 mm2）。