技術簡介
氮化鎵之次太赫茲技術。
隨著5G、物聯網（IoT）、電動車時代來臨，對應逐步提升的高頻、高速運算應用需求，化合物半導體具有高效能、低功耗、同時耐高溫高壓，開始成為市場新星，其中氮化鎵高電子遷移率電晶體（GaN HEMT）具優異之高頻特性，極適合5G射頻放大器要求高功率、高效率與耐熱之嚴苛挑戰下，維持優異的效能和穩定度。
特色與創新
開發具高fMAX/fT、高功率、高效率之GaN HEMT，同時具備4”及8”的解決方案：
◆ 4” GaN/Si (AlGaN-barrier) RF HEMT - Lift-off (Au-based) Process
◆ 8” GaN/Si (AlGaN-barrier) RF HEMT - CMOS-compatible (Au-free) Process
可對應客戶需求以極具成本優勢的解決方案，構建完整的B5G/6G毫米波技術鏈。
應用與效益
工研院電光所提供氮化鎵高電子遷移率電晶體製程技術平台，可聯合國內之半導體產業加速氮化鎵技術產業化，以落實建構5G基礎產業與早日實現5G環境之遠景。