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工業技術研究院

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氮化鎵之次太赫茲技術

技術簡介

氮化鎵之次太赫茲技術...(詳如圖說)
氮化鎵之次太赫茲技術。

隨著5G、物聯網(IoT)、電動車時代來臨,對應逐步提升的高頻、高速運算應用需求,化合物半導體具有高效能、低功耗、同時耐高溫高壓,開始成為市場新星,其中氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)具優異之高頻特性,極適合5G射頻放大器要求高功率、高效率與耐熱之嚴苛挑戰下,維持優異的效能和穩定度。

特色與創新

開發具高fMAX/fT、高功率、高效率之GaN HEMT,同時具備4”及8”的解決方案:
◆ 4” GaN/Si (AlGaN-barrier) RF HEMT - Lift-off (Au-based) Process
◆ 8” GaN/Si (AlGaN-barrier) RF HEMT - CMOS-compatible (Au-free) Process

可對應客戶需求以極具成本優勢的解決方案,構建完整的B5G/6G毫米波技術鏈。

應用與效益

工研院電光所提供氮化鎵高電子遷移率電晶體製程技術平台,可聯合國內之半導體產業加速氮化鎵技術產業化,以落實建構5G基礎產業與早日實現5G環境之遠景。

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