技術簡介
為因應國內半導體先進微影技術發展,工研院發展「極紫外(Extreme Ultraviolet;EUV)波段光輻射量測與校正技術」,目前已與國家同步輻射研究中心合作建置極紫外光光偵測器分光響應校正系統。
特色與創新
光偵測器之光輻射特性評估量測技術,可提供 EUV 光偵測器之光輻射計量標準,其中包含 EUV光偵測器響應校正系統與分光輻射標準追溯,實驗室將光輻射標準由 UV 推展至EUV,新開發光輻射標準之波長範圍為 10 nm 至 20 nm,可將輻射響應標準傳遞於 EUV 光偵測器,以滿足目前 EUV 微影製程檢測設備生態系之計量標準需求。此技術可應用於先進半導體 EUV 微影製程之關鍵組件開發,EUV 光阻分析與先進半導體材料之開發。