技術簡介
高壓碳化矽功率電晶體。
工研院的高壓碳化矽功率元件，透過高密度細胞設計與均勻熱分布之晶片設計，以達成低導通電阻、高電流之優異元件特性。因為高輸出電流的特性也讓電力轉換系統尺寸更輕巧且更有效率。
技術規格與特色
碳化矽元件規格及特性
一、規格：1700V／80A
- 適當臨界電壓：VGS(th) = 3.5V
- 大電流：ID = 80A at Tc = 25°C
- 低導通電阻：Ron,sp ≤ 8mΩ‧cm2
二、規格：1200V／100A
- 適當臨界電壓：VGS(th) = 3V
- 大電流：ID = 100A at Tc = 25°C
- 低導通電阻：Ron,sp ≤ 3.5mΩ‧cm2