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工業技術研究院

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高壓碳化矽功率電晶體

技術簡介

高壓碳化矽功率電晶體...(詳如圖說)
高壓碳化矽功率電晶體。

工研院的高壓碳化矽功率元件,透過高密度細胞設計與均勻熱分布之晶片設計,以達成低導通電阻、高電流之優異元件特性。因為高輸出電流的特性也讓電力轉換系統尺寸更輕巧且更有效率。

技術規格與特色

碳化矽元件規格及特性

一、規格:1700V/80A

  • 適當臨界電壓:VGS(th) = 3.5V
  • 大電流:ID = 80A at Tc = 25°C
  • 低導通電阻:Ron,sp ≤ 8mΩ‧cm2

二、規格:1200V/100A

  • 適當臨界電壓:VGS(th) = 3V
  • 大電流:ID = 100A at Tc = 25°C
  • 低導通電阻:Ron,sp ≤ 3.5mΩ‧cm2
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