技術簡介
線上晶圓級高深寬比TSV檢測技術。
以矽穿孔（Through Silicon Via；TSV）來設計立體晶片是實現新一代高速、低延遲、以及低功耗晶片的重要方法。然而目前矽穿孔製程良率仍然偏低，而且當前半導體產業還缺乏滿足線上檢測檢測深寬比（Aspect ratio；AR）大於30矽穿孔之工具。且目前業界所採取的掃描式電子顯微鏡（SEM）檢測是一種會破壞待測物、且需將待測物置入真空系統之檢測方法。
特色與創新
為解決該問題，工研院提出分離數值孔徑干涉技術（Separated Aperture Interference Technology；SNAIT），開發「線上晶圓級高深寬比TSV檢測技術」，此技術為非破壞檢測，且無需要進入真空系統。
應用與效益
可填補產業高階封裝製造和檢測之關鍵技術缺口，加速製程檢測回饋速度，把關製程良率。