使用氮化鎵基板製程(GaN-on-GaN)之高壓垂直型氮化鎵功率元件。
技術簡介
工研院的1200V氮化鎵二極體透過先進的磊晶層優化設計和均勻散熱晶片技術，實現了低導通電阻（Ron ≤ 80mΩ）和高電流承載能力，導通電壓低於2V，有效降低導通損耗。
此技術不僅提升了能效，還能減少系統發熱，延長元件壽命，特別適用於高壓應用，如電動車電源管理、工業控制系統及再生能源領域中的高效能轉換器等裝置。
應用與效益
氮化鎵元件規格及特性
- 導通電壓: Vf ≤ 2V
- 導通電阻: Ron ≤ 80mΩ
- 順向電流: If = 10A