ITRI’s 650V Ga2O3 SBD (4-inch Wafer)。
技術簡介
工研院開發的650V 氧化鎵蕭基特二極體和電晶體透過優化的磊晶結構和場板設計，實現了低導通電壓和高崩潰電壓。蕭基特二極體的順向導通電壓小於1.2V（@1A），額定電壓為650V，且具有低特定導通電阻（Ron,sp ≤ 8mΩ·cm²）。氧化鎵電晶體同樣具有額定電壓為650V，適當的臨界電壓為2.5V，低特定導通電阻（Ron,sp ≤ 20mΩ·cm²）。這些特性使其非常適合高效能電力應用，特別是在需要高效率和高可靠性的情況下，如電動車充電器、DC-DC 轉換器和風力發電系統等。氧化鎵材料的優勢在於其寬能隙特性，這使得元件在高溫和高電壓環境下仍能保持穩定運行。
技術規格
650V Ga2O3 Schottky Diode
- 順向導通電壓: Vf <1.2V (@1A)
- 額定電壓: 650V
- 特定導通電組: Ron,sp≤ 8 mΩ‧cm2
650V Ga2O3 Transistor
- 額定電壓: 650V
- 臨界電壓: Vth<2.5V
- 特定導通電阻: Ron,sp≤ 20 mΩ‧cm2
ITRI’s 650V Ga2O3 MOSFET (2-inch Wafer)。