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工業技術研究院

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異質整合電路導通孔技術

技術簡介

3DIC 技術利用導通孔技術,在玻璃或是矽晶圓上透過垂直路徑導通上下晶片,藉由此技術能夠進行異質晶片之整合封裝,增加晶片堆疊密度、縮小封裝體積、加大頻寬、降低功耗與增進產品效能。

特色與創新

目前已將不同方案整合在不同晶片上,如應用晶背 via last 矽導通孔製程整合技術(導通孔大小5μm,深度50μm)於SRAM與邏輯晶片的堆疊架構上,提升 60% 以上的系統效能,減少 70% 以上的功率消耗,而 via middle 矽導通孔技術則成功與記憶體廠商完成四層 8 Gb 的 DDR 3 記憶體堆疊晶片。在影像感測器應用方面,整合了 BSI CIS+ADC+ISP 三層晶片堆疊,大幅縮小封裝尺寸及提升效能。

應用與效益

藉由 3DIC 技術之應用能夠進一步縮減晶片面積、提升系統效能、減少功率消耗,目前已成功完成 3μm、深度 30μm 的矽導通孔製程整合技術的開發,應用於影像感測器、記憶體堆疊、μLED…等領域。

異質整合電路導通孔技...(詳如圖說)
異質整合電路導通孔技術。

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