技術簡介
TSV技術。
在3DIC技術上，開發所有矽導通孔相關的可行技術，透過垂直路徑導通上下晶片，增加晶片堆疊密度、縮小體積、加大頻寬、降低功耗與增進產品效能。
特色與創新
目前已將不同方案整合在不同晶片上，如應用晶背via last矽導通孔製程整合技術（導通孔大小5μm，深度50μm）於SRAM與邏輯晶片的堆疊架構上，提升60％以上的系統效能，減少70％以上的功率消耗，而via middle 矽導通孔技術則成功與記憶體廠商完成四層8Gb的DDR3記憶體堆疊晶片。
應用與效益
甚而進一步縮減晶片面積、提升系統效能、減少功率消耗、降低矽導通孔製造成本，成功完成3μm、深度30μm的矽導通孔製程整合技術的開發。