技術簡介
氮化鎵功率元件製造技術。
擁有黑科技之稱的化合物半導體氮化鎵（GaN），因其擁有高功率、高密度，可大幅縮小產品體積，於高頻、高溫與高電壓的環境下仍有極佳效能，因此被視為半導體產業升級的新星。
工研院研發的氮化鎵功率元件製造技術提供6～8吋的無翹曲與無裂縫GaN／Si磊晶片，可應用於微波通訊用的射頻功率元件、光電應用等，能夠提升效率，減少電源損耗，進而有助於降低碳排放量。
應用範圍
- 5G傳輸基地台之高頻微波元件（Rf）
- 功率轉換器之高功率元件（Power）
減碳效益
- GaN PA輸出功率高，單顆GaN PA即可取代4顆GaAs PA，大幅提升基站的傳輸範圍
- GaN取代矽基半導體用於新能源電力系統如太陽能，可以提升效率，減少電源損耗，有助降低二氧化碳排放量10％
氮化鎵功率元件製造技術。