工業技術研究院

技術簡介

本揭露提供一種輻射偵測器，包括基板、形成於基板上之像素陣列、形成於像素陣列上且具有奈米層片結構之鈣鈦礦厚膜、形成於鈣鈦礦厚膜上且與像素陣列相對之第一電極、以及設置於基板並電性連接像素陣列之讀取電路，其中，鈣鈦礦厚膜包括CsPbBrmI3-m或FAPbBrmI3-m，0≦m≦3、界面活性劑及配體。本揭露也提供了製備該鈣鈦礦厚膜之方法。

Abstract

The embodiment provides a radiation detector, comprising: a substrate; a pixel array formed on the substrate; a perovskite thick film formed on the pixel array and having a nanosheet structure; and a readout circuit electrically connected to the pixel array, wherein the perovskite thick film comprises CsPbBrmI3-m or FAPbBrmI3-m with 0 ≤ m ≤ 3, wherein the perovskite thick film comprises a surfactant and a ligand.The embodiment also provides a method of preparing the perovskite thick film, comprising:a) providing a perovskite precursor solution; b) spraying the perovskite precursor solution on a substrate to form a perovskite film; c) repeating the step b) to form a perovskite thick film; and d) subjecting the perovskite thick film to an annealing treatment to obtain a perovskite thick film having a nanosheet structure.

技術規格

製程技術：大氣環境背景超音波噴塗製程。 RL激發光波長：480-560 nm可調控。 適用X光光管電壓範圍：40-110 kVp。 激發光半高寬：＜20 nm。 閃爍體膜尺寸：＜50*50 cm2。 閃爍體厚度：＜500 µm。

Technical Specification

Process：Ultrasonic spraying (under ambient). Emission Max.：480-560 nm tunable. Voltage of X-ray tube：40-110 kVp. FWHM：＜20 nm. Scintillator size：＜50*50 cm2. Scintillator thickness：＜500 µm.

技術特色

1. 全常溫常壓下合成與製程優勢。 2. 具備客製化產品設計與製作能力。 3. 可撓性、穩定性、大面積均勻性與感測X光特性符合客戶要求。

應用範圍

醫學X光檢測、工業與半導體非破壞性檢測市場，高能量光子感測器市場。

接受技術者具備基礎建議（設備）

1. 超音波噴塗設備。 2. 真空濺鍍設備。

接受技術者具備基礎建議（專業）

化學、材料、光電等相關專業背景人員。

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