工業技術研究院

技術簡介

一種鈣鈦礦薄膜，係包括由[A][B][X]3‧n[C]表示之結晶結構的晶粒，其中，該[A]、[B]、[X]、[C]及n係如同說明書中之定義。本揭露復提供用於製備如上所述之鈣鈦礦薄膜的前驅組成物、鈣鈦礦薄膜之製備方法及包括此薄膜之半導體元件。本揭露製得之鈣鈦礦薄膜因具有最佳化晶格排列，而能有效降低其表面粗糙度之效果，即便是大面積成膜，其半導體元件也能實現高元件效率及穩定性，實具有應用前景。

Abstract

Provided is a perovskite film including crystal grains with a crystalline structure of [A][B][X].sub.3.n[C], wherein [A], [B], [X], [C] and n are as defined in the specification. The present disclosure further provides a precursor composition of perovskite film, method for producing of perovskite film, and semiconductor element including such films, as described above. With the optimal lattice arrangement, the perovskite film shows the effects of small surface roughness, and the semiconductor element thereof can thus achieve high efficiency and stability even with large area of film formation, thereby indeed having prospect of the application.

技術規格

本揭露製得之鈣鈦礦薄膜因具有最佳化晶格排列，而能有效降低其表面粗糙度之效果

Technical Specification

With the optimal lattice arrangement, the perovskite film shows the effects of small surface roughness.

技術特色

以n[C]介面層使得鈣鈦礦薄膜表面更加平坦，並提升元件Voc、FF、效率。

應用範圍

堆疊太陽電池

接受技術者具備基礎建議（設備）

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接受技術者具備基礎建議（專業）

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