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工業技術研究院

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技術名稱: 高密度均勻電漿模組及電漿診斷模組

技術簡介

高密度均勻電漿模組,透過電腦模擬分析最佳化外加磁場設計,增加電子磁旋碰撞游離,達到高密度均勻電漿產生效果; 開發非侵入式射頻離子診斷,利用偏壓電極射頻參數診斷技術,結合電漿鞘層理論模型,以分析達晶圓表面之離子能量及通量大小。

Abstract

The high-density uniform plasma module utilizes computer simulation to optimize external magnetic field design, enhancing electron collision ionization for the generation of high-density and uniform plasma. Developing a non-invasive radiofrequency ion diagnostic technique involves utilizing bias electrode radiofrequency parameters for diagnosis. This innovative approach combines plasma sheath theory models to analyze ion energy and flux magnitude at the wafer surface.

技術規格

高密度均勻電漿模組: 電漿密度> 2×1011 cm-3,均勻性>95 %。 非侵入式射頻離子診斷模組: 射頻電壓0~1.2 kVrms; 射頻電流0~18 Arms。

Technical Specification

High density uniform plasma module : plasma density >2×1011 cm-3, uniformity>95 % Non-invasive rf ion diagnostic module: rf voltage 0~1.2 kVrms; rf current 0~18 Arms

技術特色

為符合半導體製程應用,電漿源須具備高密度及高均勻特性,以提升製程速度及良率品質,同時,需要導入非侵入式診斷技術以因應次世代先進製程精微結構製造。

應用範圍

半導體製程產業、光電面板製程產業、封測製程產業

接受技術者具備基礎建議(設備)

半導體蝕刻/鍍膜設備

接受技術者具備基礎建議(專業)

具有半導體電漿製程或設備經驗之開發人員

技術分類 光電與半導體製程設備

聯絡資訊

聯絡人:張家豪 半導體設備技術組

電話:+886-3-5919330 或 Email:changch@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:無