技術簡介
藉由電漿蘭牟爾探針,用於偵測電漿蝕刻製程時的電漿狀態,並建立模型預測蝕刻終點深度,提升產品良率
Abstract
The plasma Lanmore probe is used to detect the plasma state during the plasma etching process, and build a model to predict the etching end depth to improve product yield.
技術規格
於電漿設備上安裝蘭牟爾探針,擷取電漿特性,蝕刻用電漿的功率在0~600 W區間,結合資訊模型以進行數據處理及蝕刻[深度預測分析。
Technical Specification
Installing a Lanmore probe on the plasma etch equipment to capture the plasma characteristics. The power of the plasma used for etching is in the range of 0~600 W. Combined with above information, data processing and etching depth prediction analysis are performed.
技術特色
建立模型預測蝕刻終點深度,防止實際蝕刻相較於設定值有過多誤差的發生,提升產品良率
應用範圍
電漿設備(蝕刻/清潔)
接受技術者具備基礎建議(設備)
個人電腦
接受技術者具備基礎建議(專業)
1.具基礎熱流、化學與固分析相關知識 2.軟體撰寫 3.系統整合測試
聯絡資訊
聯絡人:黃智勇 半導體設備技術組
電話:+886-3-5916695 或 Email:huangcy@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
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