工業技術研究院

技術簡介

大面積(直徑≥200mm，適用8”晶圓)單片式SiC晶圓改質設備，可於大氣環境下執行，可配合切割機、輪磨、拋光機使用，可應用降低加工應力造成的晶圓翹曲。

Abstract

A large-area (diameter ≥ 200mm, suitable for 8” wafers) single-piece SiC wafer modification equipment can operate in an atmospheric environment and is compatible with use wafer cutting machines, grinding wheels, and polishing machines. It can be applied to reduce wafer warpage caused by processing stress.

技術規格

(1)處理範圍: Max. 8"；(2)功率Max. 1800W；(3)處理溫度＜50度C；(4)兩站式設計(移載站、處理站)；(5)半密閉槍體，無須真空抽氣設備

Technical Specification

(1) Processing capacity: Max. 8"; (2) Power Max. 1800W; (3) Processing temperature ＜50 degree C; (4) Two-station design (loading/station and processing station); (5) Semi-enclosed gun body, no vacuum pumping equipment required 。」

技術特色

碳化矽（SiC）晶圓市場因其在電動車、再生能源及高功率電子中的應用，預估未來將快速成長，2025-2030年均複合成長率（CAGR）高達30％。技術上，隨著8英寸晶圓技術逐漸成熟及生產效率提升，成本將進一步下降。然而，碳化矽的硬脆材料特性，易造成晶圓化加工階段的晶圓應力損傷，本社備採用化學反應方式，可透過改質降低加工應力，具有取代傳統高耗能高溫退火爐的潛力。

應用範圍

4、6、8吋碳化矽晶圓

接受技術者具備基礎建議（設備）

裝置本體架設需求:(1) 氣體供應管路(含氣瓶)；(2) 廠務抽排氣設備；220V 3相電源。 配合設備:晶圓切、磨、拋射備。

接受技術者具備基礎建議（專業）

半導體晶圓加工、機械背景、具基礎電漿概念

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