工業技術研究院

技術簡介

2.45GHz低頻微波可對矽晶圓直接接熱，且微波對矽晶圓低溫即可達到退火效果，滿足降低熱預算的需求。研究開發多重模態縱橫奇偶排列專利，能讓腔體內達更高之平均電場以及更均勻之電場分布，讓矽晶圓可以加溫受熱均勻達99％。

Abstract

2.45GHz low-frequency microwaves can directly heat silicon wafers, and microwaves can achieve annealing effects on silicon wafers at low temperatures, meeting the need to reduce thermal budgets. Research and development of a patented multi-modal vertical and horizontal odd-even arrangement can achieve a higher average electric field and a more uniform electric field distribution in the cavity, allowing the silicon wafer to be heated evenly by 99％.

技術規格

1. 多重模態均勻微波加熱。 2. 矽晶圓＜450度C之退火。

Technical Specification

1.Multi-mode uniform microwave heating 2. Annealing of silicon wafers at ＜450°C

技術特色

微波低溫退火，達到低熱預算之功效，提升產能，節能減碳效果達50％。

應用範圍

"1. 矽半導體前後段製程。 2. III-V半導體封裝製程。"

接受技術者具備基礎建議（設備）

微波加熱系統: 磁控管、控制器、加熱腔體

接受技術者具備基礎建議（專業）

微波工程、機械機構、電機控制

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