工業技術研究院

技術簡介

電漿參數量測技術，以靜電探針量測電漿電壓電流曲線，透過數據擷取模組進行信號量測，再藉由分析程式做電漿參數計算，包含電漿密度、電子溫度、電子能量分布函數、電漿電位以及浮動電位等重要電漿參數。量測過程可透過線性移動平台，量測電漿腔體徑向分布情形，滿足電漿源特性分布需求。

Abstract

Plasma parameter diagnostic technology involves using an electrostatic probe to measure plasma voltage-current curves. The signals are captured through a data acquisition module and subsequently analyzed using specialized software to calculate key plasma parameters, including plasma density, electron temperature, electron energy distribution function, plasma potential, and floating potential. The measurement process can be conducted using a linear motion platform to assess the radial distribution within the plasma chamber, meeting the requirements for characterizing the spatial distribution of plasma source properties.

技術規格

量測電漿特性及範圍:電漿密度(1010cm-3~1012 cm-3)、電子溫度(1eV~5eV)、電子能量分布函數、電漿電位(1~40V)以及浮動電位(1~40V)等參數。

Technical Specification

Measuring plasma parameters: Plasma density(1010cm-3~1012 cm-3), electron temperature(1eV~5eV), electron energy distribution function, plasma potential(1~40V), floating potential(1~40V).

技術特色

電漿特性對製程結果影響甚鉅，傳統設備開發或製程研發多仰賴經驗法則，面對先進奈米製程，透過電漿特性量測，將可縮短研發時程，突破開發瓶頸。

應用範圍

光電、半導體電漿製程相關設備產業

接受技術者具備基礎建議（設備）

電漿探針模組、數據擷取模組、分析程式

接受技術者具備基礎建議（專業）

需具備有電漿設備開發經驗之專業人員

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