工業技術研究院

技術簡介

在現行碳化矽基板生產流程中，需要經過後續加工才能進行品質檢測並淘汰不良品，往往造成不必要的材料浪費與工序損失。為解決此問題，本計畫成功開發X-ray層像檢測技術，以非破壞性檢測方式檢測6吋碳化矽晶錠中的微管缺陷，更透過檢測模式的設計大幅降低檢測時間，同時優化微管缺陷辨識演算法，將微管缺陷辨識誤判率降低至20％以內。

Abstract

In the current manufacturing process for silicon carbide (SiC) substrates, quality inspection and the elimination of defective substrates occur only after further processing, leading to unnecessary material waste and inefficiencies. To overcome this challenge, this project has successfully developed X-ray CT inspection technology, enabling non-destructive inspection of micropipes in 6-inch SiC crystal ingots. By optimizing the inspection mode, the inspection time has been significantly reduced, while advancements in the micropipes identification algorithm have lowered the false recognition rate to under 20％.

技術規格

1. SiC晶錠直徑≧6吋 2. 檢測時間＜1小時 3. 缺陷辨識誤判率＜20％

Technical Specification

1. The diameter of SiC ingot: ≧6 inch 2. Inspection time: ＜1 hour 3. The false positive rate of defect identification ＜ 20％

技術特色

1. 檢測具非破壞性特性，不對樣品造成傷害。 2. 多種檢測模式設計，大幅降低檢測時間。 3. 微管缺陷辨識演算法優化，大幅降低微管缺陷辨識誤判率。

應用範圍

半導體材料，功率轉換器等產業

接受技術者具備基礎建議（設備）

符合政府關於游離輻射使用的規定，如鉛室或X-ray使用執照。

接受技術者具備基礎建議（專業）

對於SiC材料和X-ray間的交互作用，及SiC晶錠內部具有的缺陷型態需有基礎知識理解。

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