工業技術研究院

技術簡介

碳化矽單晶成長技術內容包含數值模擬、坩堝設計、製程參數調整並細部說明對於長晶所造成影響，運用此技術所成長的碳化矽晶體具備高品質及多晶比例低等優點，現階段已完成6吋碳化矽長晶實驗驗證，其中4H-SiC單晶比例高於99％、晶體厚度高於1.5公分。 而碳化鉭塗層技術包含漿料調配、厚膜塗覆以及熱處理製程等，可作為石墨表面的保護層使用，具有耐高溫、耐蝕效果。

Abstract

The silicon carbide crystal growth technology includes numerical simulations, crucible designs, and fine-tuning of process parameters, with detailed explanations of their effects on crystal growth. Crystals grown using this technology are known for their high quality and low polytype area. At present, 6-inch SiC crystal growth experiments have been successfully validated, achieving a 4H-SiC single-crystal proportion 99％ and a crystal thickness of over 1.5 cm. The tantalum carbide (TaC) coating technology involves slurry preparation, thick film coating, and heat treatment processes. It is applied as a protective layer on graphite surfaces, offering high-temperature resistance and corrosion resistance.

技術規格

1. SiC晶球直徑 ≧ 6吋。 2. SiC晶球厚度 ≧ 1.5公分。 3. 多晶面積 ＜ 1％。 4. 碳化鉭塗層耐溫 ≧ 2200 ℃。

Technical Specification

1. The diameter of SiC boule ≧6 inch. 2. The thickness of SiC boule ≧ 1.5 cm. 3. Polytype area ＜ 1 ％.

技術特色

1. 包含SiC長晶模擬、坩堝設計、製程調整，並從中優選最佳組合 2. 包含6吋SiC實際長晶成果及品質分析，經驗可延伸至其他尺寸。 3. 碳化鉭塗層已在石墨上完成驗證，具良好附著性以及耐溫效果。

應用範圍

SiC長晶產業。

接受技術者具備基礎建議（設備）

具備高溫物理氣相沉積系統、塗佈/噴塗設備、攪拌機。

接受技術者具備基礎建議（專業）

具備SiC長晶經驗、薄膜沉積、粉體分散等相關知識。

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