技術簡介
根據製程與元件模擬設計之分離式功率電子開關， 採用溝槽式共用閘極結構設計與製程
Abstract
By using trench DMOS process, ERSO can produce low resistance & self protection power device.
技術規格
VBD≧30V、I≧15A、Rdson ≦10mΩ
Technical Specification
VBD≧30V、I≧15A、Rdson ≦10mΩ
技術特色
．Cell Density ≧32 Mcells/in2，溝槽式結構
．具Self Protection 功能，低Rdson
應用範圍
高功率、低阻抗之電子開關，如Notebook PC 之VRM
接受技術者具備基礎建議（設備）
具元件開發能力之半導體廠
接受技術者具備基礎建議（專業）
Power IC製程技術相關元件之設計、製造能力。
聯絡資訊
聯絡人：鍾佩翰 企畫與推廣組
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