技術簡介
利用本所已有的Trench 製程,設計並製造600V,低Vce,sat的IGBT,使元件的功率消耗能更有效的降低。
Abstract
By using trench IGBT process, ERSO can produce 600V & low Vce,sat power device.
技術規格
. VBD≧600V
. I≧30A
. Vce,sat≦2.3V
. tf≦350ns
Technical Specification
VBD≧600V
I≧30A
Vce,sat≦2.3V
tf≦350ns
技術特色
Trench 技術,有效縮小元件面積及降低Vce,sat
應用範圍
主要應用於功率電路中(如電源供應器,不斷電系統等),擔任電源開關。
接受技術者具備基礎建議(設備)
一般半導體製造廠商
接受技術者具備基礎建議(專業)
Power IC製程技術相關元件之設計、製造能力
聯絡資訊
聯絡人:鍾佩翰 企畫與推廣組
電話:+886-3-5912777 或 Email:stephen.chung@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
傳真:+886-3-5917690