技術簡介
利用本所已有的Trench 製程，設計並製造600V,低Vce,sat的IGBT，使元件的功率消耗能更有效的降低。
Abstract
By using trench IGBT process, ERSO can produce 600V & low Vce,sat power device.
技術規格
. VBD≧600V
. I≧30A
. Vce,sat≦2.3V
. tf≦350ns
Technical Specification
VBD≧600V
I≧30A
Vce,sat≦2.3V
tf≦350ns
技術特色
Trench 技術,有效縮小元件面積及降低Vce,sat
應用範圍
主要應用於功率電路中（如電源供應器,不斷電系統等），擔任電源開關。
接受技術者具備基礎建議（設備）
一般半導體製造廠商
接受技術者具備基礎建議（專業）
Power IC製程技術相關元件之設計、製造能力
聯絡資訊
聯絡人：鍾佩翰 企畫與推廣組
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