技術簡介
於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術,已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上,加以組裝於基板並已通過可靠度測試。
Abstract
.UBM structure Ti/Cu/Ni/Au
.Process: Sputtering, electro-plating,
electroless-plating
.Bumping: Palting and printing
技術規格
.Pitch: 200, 250, 540 μm
.Solder Bump Height: 80, 100,130 μm
.UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
Technical Specification
Pitch: 200, 250, 540 £gm
Solder Bump Height: 80, 100,130 £gm
UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
技術特色
將傳統應用於鋁晶片的凸塊及組裝製程經修改後應用於銅晶片上, 且已成功應用於覆晶組裝中, 將覆晶構裝與銅晶片結合將更能彰顯銅製程的優越性。
應用範圍
以銅導線製程的高階晶片,可應用Chipset、ASIC、CPU等。
接受技術者具備基礎建議(設備)
構裝廠、IC廠封裝部門。
接受技術者具備基礎建議(專業)
機械、材料、化學(化工)
聯絡資訊
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