技術簡介
厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
Abstract
Thick photo-resist can fabricate high-aspect-ratio structure.In combination with electroforming micro gears and coils can be fabricated.The structure itself can be micro channel or masks for deep etchinh.
技術規格
正光阻 : 光阻厚度 ~ 20um, 深寬比~1.5
負光阻 : 光阻厚度~ 200um, 深寬比~1.5
Technical Specification
Positive PR : PR thickness ~ 20um, Aspect ratio~1.5
Negative PR : PR thickness ~ 200um, Aspect ratio~1.5
技術特色
高深寬比結構。
應用範圍
Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
接受技術者具備基礎建議（設備）
參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）
熱墊板,曝光機
接受技術者具備基礎建議（專業）
熟悉黃光單站製程。
聯絡資訊
聯絡人：曾育潔 智能應用微系統組
電話：+886-3-5913068 或 Email：jackietseng@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-3-5917193