工業技術研究院

技術簡介

9.0 GHz截止頻率雙載子電晶體特為射頻模組設計而製作的分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構，取其製程簡單且易與CMOS製程整合的特點，以便於後續單晶片模組的進一步整合；此元件的截止頻率可達到9.0 GHz以上，且均勻度可保持其變異量在10%以下。

Abstract

Through the emitter front-end module design, we can produce single chip integrate circuit & discrete transistor. By using Single-Poly Non-Self-Aligned structure, it is easily to integrate the CMOS process to further single chip module development. Because it is compatible to existing CMOS process, ERSO produced the 9GHz high-speed & uniformity below 10% Si bipolar device.

技術規格

電流增益(Current Gain, hFE)： 100~150 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance,RBS,P)：< 20 Kohm/sq 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 9.0 GHz 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 12.0 Volt.

Technical Specification

Current Gain, hFE： 100~150 Pinched Base Resistance,RBS,P：< 20 Kohm/sq Cut-Off Frequency, fT：> 9.0 GHz Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO：> 12.0 Volt.

技術特色

簡易性 Simplicity, 產品製程簡單 . 相容性佳 Compatibility, 與CMOS製程相容 . 均勻性佳 Uniformity, 元件電性均勻度高

應用範圍

提供無線前端模組所需高頻電晶體零組件，如應用於呼叫器、無線滑鼠、無線鍵盤等產品上。

接受技術者具備基礎建議（設備）

具矽元件開發能力之半導體廠

接受技術者具備基礎建議（專業）

CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

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