工業技術研究院

技術簡介

彩色TFT-LCD平面顯示器亮度不足及背光源耗電高一直是令人垢病的嚴重問題，所以近年來畫素開口率的改善是非常令人重視要的課題。許多公司亦紛紛開發新的材料，期望能使TFT-LCD的開口率向上提昇，達成高亮度、低耗電之目的。目前各相關研究皆由低介電常數之材料著手，致使ITO膜能藉由此材料而跨在TFT基材之上，擁有比傳統式TFT-LCD更大區域的ITO面基、更高的開口率。因此期望能藉由結合低介電常數材料和感光材料之經驗，研究開發更實用之TFT LCD用感光介電光阻材料。

Abstract

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技術規格

1. Dielectric Constant：3.0~3.8 2. Volume Resistivity：＞10^16 3. Optical Trans.：98% 4. 5%weight Loss T(℃)：＞300℃

Technical Specification

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技術特色

顯影特性及低介電性質是本光阻材料的發展重點，材料中使用經過設計的多功能性壓克力樹脂，使光阻具有5微米以下的解析度，並有低介電的特性。

應用範圍

目前市面上的TFT-LCD皆有透光率太低的困擾，為了降低TFT LCD製作成本及提高其透光開口率，本計畫將開發一種可直接塗佈於TFT基板上的低介電平坦光阻材料，不但可作為保護TFT的介電平坦層，更可提高TFT LCD的透光開口率。

接受技術者具備基礎建議（設備）

參考資料： J. Z. Zhong, W. den Boer, Y. H. Byun, T. Gu, R. Brinkley, and S. V. Thomsen, “A High-Aperture and High-Reliability Full-Color TFT-LCD,” SID’98 Digest, 971 (1998) .

接受技術者具備基礎建議（專業）

具光阻材料經驗

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