工業技術研究院

技術簡介

角落補償技術是為了以濕蝕刻方式製作含凸出結構的矽晶片時，可以達到特定形狀的微細加工技術。

Abstract

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技術規格

方形凸出結構的尺寸變化在設計值10%之內。

Technical Specification

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技術特色

濕法微細加工。

應用範圍

以濕蝕刻方式製作含凸出結構的矽晶片時，最常用到，如Center-boss結構。應用產品範圍包括壓力感測器、加速度計與微閥等。

接受技術者具備基礎建議（設備）

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接受技術者具備基礎建議（專業）

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