技術簡介
角落補償技術是為了以濕蝕刻方式製作含凸出結構的矽晶片時,可以達到特定形狀的微細加工技術。
Abstract
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技術規格
方形凸出結構的尺寸變化在設計值10%之內。
Technical Specification
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技術特色
濕法微細加工。
應用範圍
以濕蝕刻方式製作含凸出結構的矽晶片時,最常用到,如Center-boss結構。應用產品範圍包括壓力感測器、加速度計與微閥等。
接受技術者具備基礎建議(設備)
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接受技術者具備基礎建議(專業)
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聯絡資訊
聯絡人:何朝仁 電子材料及元件研究組
電話:+886-3-5916925 或 Email:MaxwellHo@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
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