工業技術研究院

技術簡介

低溫共燒陶瓷材料系統，因為使用銀的高導電性的金屬材料為導體，故產品的品質因數高，但是因為金屬的熔點較低，銀的熔點為961℃，因此介電陶瓷的燒結溫度必須低於900℃以下。製作流程包括：金屬粉體選用、金屬粉體改質、金屬膏調製、共燒匹配調整。

Abstract

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技術規格

本技術之內電極導電銀膏之配方，其表面電阻<2.5mΩ/sq.，並與材料所自行開發之陶瓷生胚(K=7.8, K=70)共燒之彎曲度(Camber) < 1%，同時所開發之銀膏亦可使用於材料所自行開發之埋入式電阻膏之端電極。

Technical Specification

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技術特色

本技術可依不同陶瓷生胚印刷製程需求，進行金屬膏之流變特性調整，並針對陶瓷體收縮曲線變化，進行金屬膏之改質延緩燒結，以達共燒匹配需求，且可維持金屬之高導電特性。

應用範圍

電腦資訊、軍事、航太、通訊、半導體、消費性電子和醫療用品所需之模組或晶片構裝。

接受技術者具備基礎建議（設備）

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接受技術者具備基礎建議（專業）

LTCC或MLC元件、Hybrid電路廠商、晶片/模組封裝業者及高頻系統業者。

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