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工業技術研究院

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技術名稱: Si系及Ti系中孔徑材料合成技術

技術簡介

本技術為開發電子相關產業之關鍵性技術,具有微孔徑、高表面積、高導電度及高能量之特性,使電子產品之設計更輕、薄、短、小,提高產品之附加價值,帶動相關產業之升級。

Abstract

none

技術規格

目前完成之mesoporous材料開發主要為純Si系、純Ti系及Si-Ti binary 材料,其中Si-Ti binary 材料,表面積1016m2/g、孔徑3.6nm,純Si系mesoporous材料開發,表面積830m2/g、孔徑4.2nm。及純Ti系mesoporous材料開發,表面積648m2/g、孔徑2.6nm,除了具有高表面外,孔徑大小更可控制在1nm內。

Technical Specification

none

技術特色

本技術所開發之微孔徑材料、具有高表面積、孔徑3~10nm之特性,孔徑大小更可控制在1nm內,可利用此技術製備觸媒及電極材料。

應用範圍

未來可應用於觸媒、電極材料(超級電容、電池之電極材料、有機太陽能電池之電極)、超高絕熱材、分離材。

接受技術者具備基礎建議(設備)

none

接受技術者具備基礎建議(專業)

特用化學品製備或應用技術、電子產品製造或應用技術

技術分類 高分子材料

聯絡資訊

聯絡人:沈永清 應用化學研究組

電話:+886-3-5732776 或 Email:ycsheen@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:+886-3-5732844

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