工業技術研究院

技術簡介

本技術為開發電子相關產業之關鍵性技術，具有微孔徑、高表面積、高導電度及高能量之特性，使電子產品之設計更輕、薄、短、小，提高產品之附加價值，帶動相關產業之升級。

Abstract

none

技術規格

目前完成之mesoporous材料開發主要為純Si系、純Ti系及Si-Ti binary 材料，其中Si-Ti binary 材料，表面積1016m2/g、孔徑3.6nm，純Si系mesoporous材料開發，表面積830m2/g、孔徑4.2nm。及純Ti系mesoporous材料開發，表面積648m2/g、孔徑2.6nm，除了具有高表面外，孔徑大小更可控制在1nm內。

Technical Specification

none

技術特色

本技術所開發之微孔徑材料、具有高表面積、孔徑3~10nm之特性，孔徑大小更可控制在1nm內，可利用此技術製備觸媒及電極材料。

應用範圍

未來可應用於觸媒、電極材料(超級電容、電池之電極材料、有機太陽能電池之電極)、超高絕熱材、分離材。

接受技術者具備基礎建議（設備）

none

接受技術者具備基礎建議（專業）

特用化學品製備或應用技術、電子產品製造或應用技術

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