工業技術研究院

技術簡介

整合Bipolar、CMOS及DMOS製程於單一晶片中，可實現Power IC電路之製作。

Abstract

To integrate the Bipolar、CMOS及DMOS process in one chip, Power IC can achieve low cost & high voltage application.

技術規格

(1) High Voltage DMOS BVDSS>600V Normal Operation at 400V Vth>2V Rdson<370 ohm with 10V VGS Die Size< 4Kmil square Can easily interface with the low voltage section (2)CMOS can handle 15V operation with Vth~1V (3)NPN

Technical Specification

(1) High Voltage DMOS BVDSS>600V Normal Operation at 400V Vth>2V Rdson<370 ohm with 10V VGS Die Size< 4Kmil square Can easily interface with the low voltage section (2)CMOS can handle 15V operation with Vth~1V (3)NPN

技術特色

．整合BCD製程，可大幅節省封裝費用，降低功率耗損，提高系統效能。 ．高壓DMOS部分耐壓可超過600V，低壓部分可5V操作。

應用範圍

電源管理系統、電源供應器、照明設備、家用設備、工業控制設備等。

接受技術者具備基礎建議（設備）

具元件開發能力之半導體廠

接受技術者具備基礎建議（專業）

CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

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