技術簡介
將Polyimide的結構中導入或摻混感光基團,使得Polyimide除能保有優異的性質外又兼具感光的特性,經曝光、顯影等製程後,再高溫環化形成聚亞醯(PI),大幅簡化使用一般非感光性聚亞醯胺之高解析度微影製程。
Abstract
none
技術規格
製程能力解析度≦3μm,形成聚亞醯胺後材料特性為Tg=298℃、Td≧550℃、Dk:3.4-3.6、Volume Resistivity≧10^16。
Technical Specification
none
技術特色
Polyimide具感光及高解析度微影製程能力,可簡化IC製程而降低成本,提高產品良率,有別於一般非感光性聚亞醯胺須與光阻材料搭配在製程的繁瑣性。
應用範圍
IC半導體之應用:鈍化膜(passivation coating)、應力緩衝層(stress butter bcoating)、α粒子遮蔽膜(α-particle barrier)、乾式蝕刻防護罩(dry-etch mask)、微機電(micromachines)和層間絕緣膜(interlayer dielectrics)。
接受技術者具備基礎建議(設備)
樹脂反應器、塗佈機、曝光機、顯影機。
接受技術者具備基礎建議(專業)
電子材料╱化工業者。
聯絡資訊
聯絡人:楊偉達 電子材料及元件研究組
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