工業技術研究院

技術簡介

磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。

Abstract

Because of its non-volatility, non-destructive reading, fast access speed, high integration, high reliability, low power consumption & strong radiation resistance, MRAM is a major emerging memory device. Through magnetic tunneling junction property, MRAM can perform its unique magnetoresistivity by using traditional CMOS process.

技術規格

本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(operation current<10mA、standby current<1A) 及非揮發特性。

Technical Specification

Magnetic growth layer thickness< 20nm Roughness/area < 2nm/cm2 Tunneling barrier thickness < 2nm MR ratio>45%

技術特色

MRAM 後段關鍵模組製程以及MRAM元件製程整合。關鍵製程：Via金屬連接層蝕刻製程模組以及上電極蝕刻製程模組。

應用範圍

傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。

接受技術者具備基礎建議（設備）

具記憶體元件開發能力之半導體廠

接受技術者具備基礎建議（專業）

CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

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